BD242B
数据手册.pdf
ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
BD242B中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
针脚数 3
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD242B引脚图与封装图
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在线购买BD242B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD242B | ST Microelectronics 意法半导体 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号BD242B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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