极性 NPN
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JAN2N5666S | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N5666S 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 NPN 1200mW | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BDX33CG 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 NPN 100V 10A 70000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BDX33CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE | JAN2N5666S和BDX33CG的区别 | |
型号: TIP112 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 NPN 100V 2A 2000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TIP112. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 500 hFE | JAN2N5666S和TIP112的区别 | |
型号: TIP41C 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 NPN 100V 6A 65000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TIP41C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 75 hFE | JAN2N5666S和TIP41C的区别 |