E-ULQ2003D1、ULN2004AIDR、ULQ2003ADR对比区别
型号 E-ULQ2003D1 ULN2004AIDR ULQ2003ADR
描述 SO NPN 50V 0.5A高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYTEXAS INSTRUMENTS ULQ2003ADR 达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 16 16 16
封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 500 mA 500 mA 500 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 950 mW - -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -
输出接口数 - - 7
针脚数 - - 16
驱动器/包 - 7 7
输出电流(Max) - - 500 mA
工作温度(Max) - 105 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16
长度 - - 9.9 mm
宽度 - 3.91 mm 3.91 mm
高度 - - 1.58 mm
工作温度 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99