E-ULQ2003D1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 950 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
E-ULQ2003D1引脚图与封装图
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在线购买E-ULQ2003D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| E-ULQ2003D1 | ST Microelectronics 意法半导体 | SO NPN 50V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号E-ULQ2003D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： E-ULQ2003D1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 16-SOIC NPN 50V 500mA 950mW | 当前型号 | SO NPN 50V 0.5A | 当前型号 |
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