SI3446ADV-T1-GE3、SI3460DDV-T1-GE3对比区别

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型号 SI3446ADV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3

描述 VISHAY  SI3446ADV-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8A, 20V, 2WVISHAY  SI3460DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 TSOP TSOP-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 31 mΩ 0.023 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 1.7 W

阈值电压 1.8 V 400 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

输入电容(Ciss) - 666pF @10V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7 W

连续漏极电流(Ids) 5.80 A -

长度 - 3.1 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 1 mm

封装 TSOP TSOP-6

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99