SI3460DDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 666pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI3460DDV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3460DDV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3460DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV | 搜索库存 |
替代型号SI3460DDV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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