SI3446ADV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 31 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3446ADV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3446ADV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3446ADV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3446ADV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8A, 20V, 2W | 搜索库存 |
替代型号SI3446ADV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3446ADV-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP N-Channel 20V 5.8A | 当前型号 | VISHAY SI3446ADV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8A, 20V, 2W | 当前型号 |
| 型号： SI3460DDV-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel | 功能相似 | VISHAY SI3460DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV | SI3446ADV-T1-GE3和SI3460DDV-T1-GE3的区别 |