BC856BDW1T1G、BC856BDW1T3G、BC856BDW1T1对比区别

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型号 BC856BDW1T1G BC856BDW1T3G BC856BDW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC856BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

引脚数 6 6 -

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -65.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 380 mW 380 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 100 MHz 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 475 -

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW -

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 220 - -

长度 2 mm 2.08 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 0.95 mm 0.9 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 EAR99 -