BC856BDW1T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Power Management, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC856BDW1T1G引脚图与封装图 
BC856BDW1T1G引脚图
BC856BDW1T1G封装焊盘图
在线购买BC856BDW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号BC856BDW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC856BDW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 PNP -65V -100mA 380mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： BC856BDW1T3G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -65V -100mA 380mW | 完全替代 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BC856BDW1T1G和BC856BDW1T3G的区别 |
| 型号： BC856BDW1T1 品牌： 安森美 封装： 6-TSSOP PNP -65V -100mA | 完全替代 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | BC856BDW1T1G和BC856BDW1T1的区别 |
| 型号： BC856S@115 品牌： 恩智浦 封装： PNP | 类似代替 | BC856S@115 | BC856BDW1T1G和BC856S@115的区别 |