STD100N03LT4、STU150N3LLH6、IPB034N03LGATMA1对比区别

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型号 STD100N03LT4 STU150N3LLH6 IPB034N03LGATMA1

描述 N沟道30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK平面STripFET⑩ MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET⑩ MOSFETSTMICROELECTRONICS  STU150N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 VINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-263

额定功率 - - 94 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 5.50 mΩ 0.0024 Ω 0.0028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110W (Tc) 110 W 94 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80A

上升时间 205 ns 18 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 2060pF @25V(Vds) 4040pF @25V(Vds) 4000pF @15V(Vds)

下降时间 - 46 ns 5.4 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 94 W

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

输入电容 2.06 nF - -

栅电荷 20.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

额定功率(Max) 110 W - -

通道数 - 1 -

长度 - 6.6 mm 10.31 mm

宽度 - 2.4 mm 9.45 mm

高度 - 6.9 mm 4.57 mm

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17