STD100N03LT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 5.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110W Tc
输入电容 2.06 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 205 ns
输入电容Ciss 2060pF @25VVds
额定功率Max 110 W
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD100N03LT4引脚图与封装图
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在线购买STD100N03LT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD100N03LT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK平面STripFET⑩ MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET⑩ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD100N03LT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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