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MJ2955、MJ2955G、BDX18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ2955 MJ2955G BDX18

描述 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJ2955G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 2.5 MHz, 115 W, -15 A, 5 hFE 新Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Continental Device

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 2 -

封装 TO-204-2 TO-204-2 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -15.0 A -15.0 A -

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel -

耗散功率 115 W 115 W -

增益频宽积 2.5 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) -60.0 V 60 V -

集电极最大允许电流 15A 15A -

最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @4A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) 70 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 115000 mW 115000 mW -

频率 - 2.5 MHz -

针脚数 - 2 -

热阻 - 1.52℃/W (RθJC) -

额定功率(Max) - 115 W -

直流电流增益(hFE) - 2 -

长度 39.37 mm 39.37 mm -

宽度 26.67 mm 26.67 mm -

高度 8.51 mm 8.51 mm -

封装 TO-204-2 TO-204-2 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray -

最小包装 100 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -