MJ2955
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MJ2955中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -15.0 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 115 W
增益频宽积 2.5 MHz
击穿电压集电极-发射极 -60.0 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 115000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJ2955引脚图与封装图 
MJ2955引脚图
在线购买MJ2955
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJ2955 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJ2955
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJ2955 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 PNP -60V -15A 115W | 当前型号 | 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJ2955G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -60V -15A 115000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJ2955G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 2.5 MHz, 115 W, -15 A, 5 hFE 新 | MJ2955和MJ2955G的区别 |