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SA630D/01、SA630D/01,118、SA630D/01,112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SA630D/01 SA630D/01,118 SA630D/01,112

描述 RF 开关 IC SPDT SW -40 TO +85SA630 系列 宽带 单刀双掷 (SPDT) 开关 - SOIC-8NXP  SA630D/01,112  芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 主动器件RF射频器件RF射频器件

基础参数对比

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

频率 - 1000 MHz 1000 MHz

供电电流 - 0.17 mA 0.17 mA

针脚数 - 8 8

耗散功率 780 mW 780 mW 780 mW

测试频率 - 900 MHz 900 MHz

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 780 mW 780 mW

电源电压 - 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 0.5 V 3 V

输出接口数 2 - -

电源电压(DC) - - 3.00V (min)

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.45 mm - 1.45 mm

重量 - 68.5336999999998 mg -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99