频率 1000 MHz
供电电流 0.17 mA
针脚数 8
耗散功率 780 mW
测试频率 900 MHz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780 mW
电源电压 3V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 0.5 V
引脚数 8
封装 SOIC-8
宽度 4 mm
封装 SOIC-8
重量 68.5336999999998 mg
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SA630D/01,118 | NXP 恩智浦 | SA630 系列 宽带 单刀双掷 SPDT 开关 - SOIC-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SA630D/01,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: | 当前型号 | SA630 系列 宽带 单刀双掷 SPDT 开关 - SOIC-8 | 当前型号 | |
型号: SA630D/01 品牌: 恩智浦 封装: | 完全替代 | RF 开关 IC SPDT SW -40 TO +85 | SA630D/01,118和SA630D/01的区别 | |
型号: SA630D/01,112 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | NXP SA630D/01,112 芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8 | SA630D/01,118和SA630D/01,112的区别 | |
型号: SA630D,602 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | RF Switch SPDT 0MHz to 1GHz 24dB 8Pin SO Tube | SA630D/01,118和SA630D,602的区别 |