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NXP 恩智浦 电子元器件分类
SA630D/01中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

耗散功率 780 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SA630D/01引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SA630D/01
型号 制造商 描述 购买
SA630D/01 NXP 恩智浦 RF 开关 IC SPDT SW -40 TO +85 搜索库存
替代型号SA630D/01
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SA630D/01

品牌: NXP 恩智浦

封装:

当前型号

RF 开关 IC SPDT SW -40 TO +85

当前型号

型号: SA630D/01,112

品牌: 恩智浦

封装:

完全替代

NXP  SA630D/01,112  芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8

SA630D/01和SA630D/01,112的区别

型号: SA630D/01,118

品牌: 恩智浦

封装:

完全替代

SA630 系列 宽带 单刀双掷 SPDT 开关 - SOIC-8

SA630D/01和SA630D/01,118的区别

型号: SA630D,602

品牌: 恩智浦

封装:

类似代替

RF Switch SPDT 0MHz to 1GHz 24dB 8Pin SO Tube

SA630D/01和SA630D,602的区别