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IRLML2502TRPBF、MGSF2N02ELT1G、IRLML2502TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML2502TRPBF MGSF2N02ELT1G IRLML2502TR

描述 INFINEON  IRLML2502TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.2A, SOT-23-3, 整卷ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 VSOT-23 N-CH 20V 4.2A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 20.0 V 20.0 V

额定电流 - 2.80 A 4.20 A

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.035 Ω 0.078 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25W (Ta)

阈值电压 1.2 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 4.2A 2.80 A 4.20 A

上升时间 10 ns 95 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 740pF @15V(Vds) 150pF @5V(Vds) 740pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W -

下降时间 26 ns 125 ns 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)

产品系列 - - IRLML2502

额定功率 1.25 W - -

输入电容 740 pF - -

长度 3.04 mm 3.04 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -