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MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G

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ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V

N 通道功率 MOSFET，20V，


得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF2N02ELT1G, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
MGSF2N02ELT1G


贸泽:
MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MGSF2N02ELT1G N-channel MOSFET Transistor, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 500 mV


力源芯城:
2.8A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23


MGSF2N02ELT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 2.80 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 2.80 A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 150pF @5VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 125 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MGSF2N02ELT1G引脚图与封装图
MGSF2N02ELT1G引脚图

MGSF2N02ELT1G引脚图

MGSF2N02ELT1G封装焊盘图

MGSF2N02ELT1G封装焊盘图

在线购买MGSF2N02ELT1G
型号 制造商 描述 购买
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V 搜索库存
替代型号MGSF2N02ELT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MGSF2N02ELT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 20V 2.8A 85mohms

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V

当前型号

型号： MGSF2N02ELT1

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 20V 2.8A 85mohms

类似代替

2.8安培， 20伏， N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

MGSF2N02ELT1G和MGSF2N02ELT1的区别

型号： IRLML2502TRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 20V 4.2A

功能相似

INFINEON  IRLML2502TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.2A, SOT-23-3, 整卷

MGSF2N02ELT1G和IRLML2502TRPBF的区别

型号： IRLML6244TRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 20V 6.3A

功能相似

INFINEON  IRLML6244TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

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