BCR183S、BCR185S、PUMB11,115对比区别

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型号 BCR183S BCR185S PUMB11,115

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorPNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorNXP  PUMB11,115  双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 6

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

针脚数 - - 6

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) - - 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 30

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

高度 - - 1 mm

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

产品生命周期 End of Life End of Life Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR