PUMB11,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMB11,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
PUMB11,115引脚图与封装图
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在线购买PUMB11,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMB11,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMB11,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMB11,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMB11,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 PNP 0.3W | 当前型号 | NXP PUMB11,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
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