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TPS2814D、TPS2814DG4、TPS2814DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2814D TPS2814DG4 TPS2814DR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TPS2814D  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOIC-8双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS2输入AND高速MOSFET驱动器,一路同相,一路反

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 14.0V (max) 4.00V (min) 4.00V (min)

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 2 A 2 A

耗散功率 0.73 W 0.73 W 730 mW

上升时间 35 ns 35 ns 14 ns

下降时间 35 ns 35 ns 15 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 730 mW 730 mW 730 mW

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

供电电流 5.00 mA 0.0002 mA -

针脚数 8 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -