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TPS2814D

TPS2814D

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  TPS2814D  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOIC-8

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:2A 拉:2A


德州仪器TI:
2-A/2-A dual-channel gate driver with two AND inputs for each output


欧时:
Texas Instruments TPS2814D 双 MOSFET 功率驱动器, 2A, 4 → 14 V电源, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
The TPS2814D is a Dual High Speed MOSFET Driver capable of delivering peak currents of 2A into highly capacitive loads. This performance is achieved with a design that inherently minimizes shoot-through current and consumes an order of magnitude less supply current than competitive products. The TPS2814 has 2-input gates that give the user greater flexibility in controlling the MOSFET. It is a dual 2-input AND driver with one inverting input on each driver. The CMOS input circuit has a positive threshold of approximately 2/3 of VCC, with a negative threshold of 1/3 of VCC and very high input impedance in the range of 109Ω. Noise immunity is also very high because of the Schmidt trigger switching. In addition, the design is such that the normal shoot-through current in CMOS when the input is biased halfway between VCC and ground is limited to less than 6mA. The basic driver portion of the circuits operates over a supply voltage range of 4 to 14V with a maximum bias current of 5µA.


力源芯城:
2输入AND高速MOSFET驱动器,一路同相,一路反


TPS2814D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 14.0V max

上升/下降时间 14ns, 15ns

输出接口数 2

供电电流 5.00 mA

针脚数 8

耗散功率 0.73 W

上升时间 35 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 730 mW

电源电压 4V ~ 14V

电源电压Max 14 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

TPS2814D引脚图与封装图
TPS2814D引脚图

TPS2814D引脚图

TPS2814D封装图

TPS2814D封装图

TPS2814D封装焊盘图

TPS2814D封装焊盘图

在线购买TPS2814D
型号 制造商 描述 购买
TPS2814D TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  TPS2814D  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOIC-8 搜索库存
替代型号TPS2814D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPS2814D

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 14V 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  TPS2814D  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOIC-8

当前型号

型号: TPS2814DR

品牌: 德州仪器

封装: 8SOIC 4V 8Pin

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