IRFR110TRPBF、IRFR120NPBF、IRFR110PBF对比区别
型号 IRFR110TRPBF IRFR120NPBF IRFR110PBF
描述 N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON IRFR120NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 100 V, 210 mohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
额定功率 - 39 W 25 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.54 Ω 0.21 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 48 W 25 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.30 A 9.4A 4.30 A
上升时间 16 ns 23 ns 16.0 ns
输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 48 W -
下降时间 9.4 ns 23 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25 W 48W (Tc) 2.5 W
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 4.70 A
输入电容 - - 180pF @25V
漏源击穿电压 - - 100 V
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -