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IRFR110PBF

IRFR110PBF

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

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Dynamic dV/dt rating
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Ease of paralleling
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Surface-mount
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Repetitive avalanche rated
IRFR110PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 4.70 A

额定功率 25 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

输入电容 180pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 16.0 ns

输入电容Ciss 180pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR110PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR110PBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号IRFR110PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRFR110PBF

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-252 N-Channel 100V 4.3A

当前型号

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

当前型号

型号： IRFR110TRPBF

品牌： 威世

封装： TO-252AA N-Channel 100V 4.3A

类似代替

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

IRFR110PBF和IRFR110TRPBF的区别

型号： IRFU110PBF

品牌： 威世

封装： TO-251 N-Channel 100V 4.3A

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VISHAY  IRFU110PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK

IRFR110PBF和IRFU110PBF的区别