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IRFR110TRPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 180pF @25VVds

下降时间 9.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR110TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR110TRPBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号IRFR110TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR110TRPBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-252AA N-Channel 100V 4.3A

当前型号

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: IRFR110PBF

品牌: 威世

封装: TO-252 N-Channel 100V 4.3A

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