
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4.30 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 180pF @25VVds
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR110TRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR110TRPBF 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: TO-252AA N-Channel 100V 4.3A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 当前型号 | |
型号: IRFR110PBF 品牌: 威世 封装: TO-252 N-Channel 100V 4.3A | 类似代替 | N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | IRFR110TRPBF和IRFR110PBF的区别 | |
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型号: IRFU110PBF 品牌: 威世 封装: TO-251 N-Channel 100V 4.3A | 功能相似 | VISHAY IRFU110PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK | IRFR110TRPBF和IRFU110PBF的区别 |