BSH111,215、MMBF170LT1G、BSH111BK对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSH111,215 MMBF170LT1G BSH111BK

描述 NXP  BSH111,215.  场效应管, MOSFET, N沟道ON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 VNXP  BSH111BK  小信号场效应管, MOSFET 新

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 500 mA -

额定功率 - 0.225 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.3 Ω 5 Ω 2.3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 830 mW 225 mW 302 mW

阈值电压 1 V 3 V 1 V

输入电容 - 60 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 335 mA 500 mA 0.21A

输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 830 mW 225 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 225mW (Ta) -

通道数 1 - -

长度 3 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -