BSH111,215
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NXP
恩智浦
分立器件
BSH111,215中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 335 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSH111,215引脚图与封装图 
BSH111,215引脚图
BSH111,215封装焊盘图
在线购买BSH111,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSH111,215 | NXP 恩智浦 | NXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号BSH111,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSH111,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel 55V 335mA | 当前型号 | NXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： BSH111,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB N-CH 55V 0.335A | 类似代替 | TO-236AB N-CH 55V 0.335A | BSH111,215和BSH111,235的区别 |
| 型号： MMBF170LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 60pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBF170LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | BSH111,215和MMBF170LT1G的区别 |