EMD9T2R、MUN5314DW1T1G、NSBC114YPDXV6T1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 EMD9T2R MUN5314DW1T1G NSBC114YPDXV6T1G

描述 ROHM  EMD9T2R  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMTON SEMICONDUCTOR  MUN5314DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363ON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 EMT-6 SC-70-6 SOT-563-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 70.0 mA 100 mA 100 mA

额定功率 0.15 W - -

通道数 2 - -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 150 mW 187 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 250 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 68 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 150 mW 385 mW 500 mW

长度 1.6 mm 2 mm -

宽度 1.2 mm 1.25 mm -

高度 0.5 mm 0.9 mm -

封装 EMT-6 SC-70-6 SOT-563-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -