EMD9T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMD9T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 0.15 W
通道数 2
极性 NPN, PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
EMD9T2R引脚图与封装图 
EMD9T2R引脚图
EMD9T2R封装图
EMD9T2R封装焊盘图
在线购买EMD9T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMD9T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM EMD9T2R 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMT | 搜索库存 |
替代型号EMD9T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMD9T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT NPN 50V 70mA 0.15W | 当前型号 | ROHM EMD9T2R 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMT | 当前型号 |
| 型号： MUN5314DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5314DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363 | EMD9T2R和MUN5314DW1T1G的区别 |
| 型号： NSBC114YPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NSBC114YPDXV6T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563 | EMD9T2R和NSBC114YPDXV6T1G的区别 |
| 型号： UMD9NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 70mA 0.15W | 功能相似 | NPN+PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | EMD9T2R和UMD9NTR的区别 |