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STL65N3LLH5、STS12N3LLH5、FDMS8880对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STL65N3LLH5 STS12N3LLH5 FDMS8880

描述 STMICROELECTRONICS  STL65N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 VN-Channel 30V 0.0075Ω SMT STripFET V Power Mosfet SOIC-8N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30 V , 21 A, 8.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerVDFN-8 SO-8 Power-56-8

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 60 W 2.7 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 9.50 A - 13.5A

上升时间 14.5 ns 11.2 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds) 1585pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 4 W 2.7 W 2.5 W

下降时间 4.5 ns 6 ns 4 ns

耗散功率(Max) 60W (Tc) 2.7W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)

针脚数 8 - -

漏源极电阻 4.8 mΩ - -

阈值电压 1 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 PowerVDFN-8 SO-8 Power-56-8

长度 4.75 mm - -

宽度 5.75 mm - -

高度 0.88 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -