STS12N3LLH5中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.7 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 11.2 ns
输入电容Ciss 1290pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS12N3LLH5引脚图与封装图
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在线购买STS12N3LLH5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS12N3LLH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N-Channel 30V 0.0075Ω SMT STripFET V Power Mosfet SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号STS12N3LLH5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STS12N3LLH5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO | 当前型号 | N-Channel 30V 0.0075Ω SMT STripFET V Power Mosfet SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： STL65N3LLH5 品牌： 意法半导体 封装： Power N-Channel 9.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V | STS12N3LLH5和STL65N3LLH5的区别 |
| 型号： STS10N3LH5 品牌： 意法半导体 封装： SO | 功能相似 | N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET | STS12N3LLH5和STS10N3LH5的区别 |