IPD25CN10NGATMA1、IPD25CN10NGBUMA1、FDD86102对比区别

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型号 IPD25CN10NGATMA1 IPD25CN10NGBUMA1 FDD86102

描述 DPAK N-CH 100V 35ADPAK N-CH 100V 35APowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 0.019 Ω 19 mΩ 0.019 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 71 W 71 W 62 W

阈值电压 3 V 2 V 3.1 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 35A 35A 8A

上升时间 4 ns 4 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 2070pF @50V(Vds) 1035pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 71 W - 3.1 W

下降时间 3 ns 3 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 71W (Tc) 71W (Tc) 62 W

漏源击穿电压 - 100 V -

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15