锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
IPD25CN10NGBUMA1

IPD25CN10NGBUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 100V 35A

If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Technologies" power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 71000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

IPD25CN10NGBUMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 19 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 71 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2070pF @50VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD25CN10NGBUMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD25CN10NGBUMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD25CN10NGBUMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 100V 35A 搜索库存
替代型号IPD25CN10NGBUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD25CN10NGBUMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 100V 35A

当前型号

DPAK N-CH 100V 35A

当前型号

型号： IPD200N15N3GATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 150V 50A

类似代替

DPAK N-CH 150V 50A

IPD25CN10NGBUMA1和IPD200N15N3GATMA1的区别

型号： IPD25CN10NGATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 35A

类似代替

DPAK N-CH 100V 35A

IPD25CN10NGBUMA1和IPD25CN10NGATMA1的区别