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IPD25CN10NGATMA1

IPD25CN10NGATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 100V 35A

The IPD25CN10N G is a 100V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to other transistors, this MOSFET achieves a reduction of 30% in both RDS on and FOM Figure of Merit. The OptiMOS™ MOSFET offers industry"s lowest RDS on within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.

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Excellent switching performance
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Environmentally-friendly
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Increased efficiency
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Highest power density
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Less paralleling required
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Smallest board-space consumption
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Easy to design
IPD25CN10NGATMA1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 71 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2070pF @50VVds

额定功率Max 71 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Audio, Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Class D audio amplifiers, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD25CN10NGATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD25CN10NGATMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 100V 35A 搜索库存
替代型号IPD25CN10NGATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD25CN10NGATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 35A

当前型号

DPAK N-CH 100V 35A

当前型号

型号： IPD25CN10NGBUMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 100V 35A

类似代替

DPAK N-CH 100V 35A

IPD25CN10NGATMA1和IPD25CN10NGBUMA1的区别

型号： IPD33CN10NGBUMA1

品牌： 英飞凌

封装： DPAK N-CH 100V 27A

类似代替

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

IPD25CN10NGATMA1和IPD33CN10NGBUMA1的区别

型号： FDD3672

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 100V 44A 28mohms 1.71nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3672  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

IPD25CN10NGATMA1和FDD3672的区别