MMUN2133LT1、MMUN2133LT1G对比区别

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型号 MMUN2133LT1 MMUN2133LT1G

描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  MMUN2133LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free

极性 PNP PNP

耗散功率 400 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1.01 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99