MMUN2133LT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMUN2133LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 400 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMUN2133LT1引脚图与封装图
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在线购买MMUN2133LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2133LT1 | ON Semiconductor 安森美 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MMUN2133LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2133LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 当前型号 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： MMUN2133LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2133LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23 | MMUN2133LT1和MMUN2133LT1G的区别 |