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STW25N95K3

STW25N95K3

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STMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 950V 22A TO247


欧时:
### N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 950 V, 22 A, 0.32 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW25N 系列 N 沟道 950 V 0.32 Ohm 22 A 功率 Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW25N95K3  Power MOSFET, N Channel, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
950V,22A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 950V 22A TO247


Win Source:
MOSFET N-CH 950V 22A TO247


STW25N95K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 400 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 950 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 3680pF @100VVds

额定功率Max 400 W

下降时间 59 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 工业, 电源管理, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW25N95K3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STW25N95K3 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW25N95K3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW25N95K3

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： STW20N95K5

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 950V 17.5A

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封装： TO-247 N-Channel 1200V 6A

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型号： STW19NM50N

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 500V 14A

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