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BU406G、BU406TU、BU406对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU406G BU406TU BU406

描述 ON SEMICONDUCTOR  BU406G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。硅NPN开关晶体管 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 10 MHz 10 MHz -

额定电压(DC) 200 V 150 V 400 V

额定电流 7.00 A 7.00 A 7.00 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 60 W 60 W 60.0 W

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 200 V

集电极最大允许电流 7A 7A -

额定功率(Max) 60 W 60 W 60 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60 W 60000 mW

直流电流增益(hFE) 10 - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

长度 - 9.9 mm -

宽度 4.82 mm 4.5 mm -

高度 - 9.2 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -