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BU406G

ON SEMICONDUCTOR  BU406G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES − 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s.

Features

• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V

• Fast Switching Speed: tf = 750 ns max

• Low Saturation Voltage: VCEsat = 1 V max @ 5 A

• Pb−Free Packages are Available
.

得捷:
TRANS NPN 200V 7A TO220


立创商城:
BU406G


欧时:
ON Semiconductor, BU406G


艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BU406G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 200 V, 10 MHz, 2 W, 7 A, 10 hFE


BU406G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 200 V

额定电流 7.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 7A

额定功率Max 60 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.82 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BU406G引脚图与封装图
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在线购买BU406G
型号 制造商 描述 购买
BU406G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BU406G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新 搜索库存
替代型号BU406G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BU406G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO220-3 NPN 200V 7A 60000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BU406G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新

当前型号

型号: BU406

品牌: 安森美

封装: TO220 NPN 200V 7A 60000mW

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型号: BU406TU

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 60000mW

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型号: BU407

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 N-Channel 60W

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