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TD62003AF、ULN2004ADR、ULN2003D1013TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD62003AF ULN2004ADR ULN2003D1013TR

描述 TD62003AFTEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出接口数 - - 7

输出电压 - - 50 V

输出电流 - - 500 mA

通道数 - - 7

针脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

输出电流(Max) - - 500 mA

直流电流增益(hFE) - - 1000

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -20 ℃ -40 ℃

输入电压 - - 30 V

驱动器/包 - 7 -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

长度 - - 10 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 - -20℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR