TD62003AF
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TD62003AF中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
封装参数
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TD62003AF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TD62003AF | Toshiba 东芝 | TD62003AF | 搜索库存 |
替代型号TD62003AF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TD62003AF 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | TD62003AF | 当前型号 |
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| 型号： ULN2004ADR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2004ADR 晶体管阵列 | TD62003AF和ULN2004ADR的区别 |