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UC3843BVD1R2G、UC3844DG、UC3843AD8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UC3843BVD1R2G UC3844DG UC3843AD8

描述 ON SEMICONDUCTOR  UC3843BVD1R2G  控制器, 电流模式, 25V-12V电源, 500 kHz, 5V/200mA输出, SOIC-8高性能电流模式控制器 High Performance Current Mode ControllersTEXAS INSTRUMENTS  UC3843AD8  控制器, PWM, 25V-12V电源, 500 kHz, 5V/1A输出, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 PWM控制器电源管理稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

频率 500 kHz - 500 kHz

电源电压(DC) 12.0V (min) - 12.0V (min)

工作电压 - - 8.4V ~ 30V

额定功率 - - 1 W

输出接口数 1 - 1

输入电压(DC) 30.0 V 30.0 V 25.0 V

输出电压 5 V - 5 V

输出电流 200 mA - 1 A

通道数 - - 1

针脚数 8 - 8

输入电流 - - 11 mA

耗散功率 702 mW - 1 W

静态电流 - - 11.0 mA

调节输出数 - - 1

上升时间 50 ns - 50 ns

开关频率 500 kHz - 500 kHz

拓扑结构 Flyback - Buck, Boost, Flyback, Forward

占空比 96 % - 100 %

输出电流(Max) - - 1 A

最大占空比 96 % - 100 %

下降时间 50 ns - 50 ns

工作温度(Max) 105 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 7.6V ~ 30V - 7.6.30 VDC

电源电压(Max) 25 V - 25 V

电源电压(Min) 12 V - 12 V

输入电压 30 V - 25 V

无卤素状态 Halogen Free - -

供电电流 12 mA - -

耗散功率(Max) 702 mW - -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -