BCP55,115、BCP55,135、BAT54SW,115对比区别

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型号 BCP55,115 BCP55,135 BAT54SW,115

描述 NXP  BCP55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFESC-73 NPN 60V 1A200mA 至 500mA，NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器，NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管肖特基二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-323-3

针脚数 4 - 3

正向电压 - - 800mV @100mA

耗散功率 640 mW - 230 mW

反向恢复时间 - - 5 ns

正向电流 - - 200 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 600 mA

正向电压(Max) - - 800 mV

正向电流(Max) - - 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

工作结温 - - 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 0.96 W - 200 mW

频率 180 MHz - -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 63 @5mA, 2V 63 @5mA, 2V -

额定功率(Max) 1.35 W 1.35 W -

直流电流增益(hFE) 63 - -

长度 6.7 mm - 2.2 mm

宽度 3.7 mm - 1.35 mm

高度 1.7 mm - 1 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-323-3

重量 - - 0.004535924 kg

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17