频率 180 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 640 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 63 @5mA, 2V
额定功率Max 1.35 W
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.96 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP55,115 | NXP 恩智浦 | NXP BCP55,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP55,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-73 NPN 1350mW | 当前型号 | NXP BCP55,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE | 当前型号 | |
型号: BCP55,135 品牌: 恩智浦 封装: TO-261-4 NPN | 完全替代 | SC-73 NPN 60V 1A | BCP55,115和BCP55,135的区别 | |
型号: BCP55-10,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-73 NPN 1350mW | 类似代替 | NXP BCP55-10,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE | BCP55,115和BCP55-10,115的区别 | |
型号: BAT54SW,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-323 | 功能相似 | 200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。 | BCP55,115和BAT54SW,115的区别 |