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BCP55,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BCP55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

The BCP55 series 1A NPN Medium Power Transistor in a very small leadless surface-mount plastic package.

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High current
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Three current gain selections
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High power dissipation capability
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Exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity
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AEC-Q101 qualified
BCP55,115中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 640 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 63 @5mA, 2V

额定功率Max 1.35 W

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 0.96 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BCP55,115引脚图与封装图
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在线购买BCP55,115
型号 制造商 描述 购买
BCP55,115 NXP 恩智浦 NXP  BCP55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE 搜索库存
替代型号BCP55,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCP55,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-73 NPN 1350mW

当前型号

NXP  BCP55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

当前型号

型号: BCP55,135

品牌: 恩智浦

封装: TO-261-4 NPN

完全替代

SC-73 NPN 60V 1A

BCP55,115和BCP55,135的区别

型号: BCP55-10,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-73 NPN 1350mW

类似代替

NXP  BCP55-10,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

BCP55,115和BCP55-10,115的区别

型号: BAT54SW,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323

功能相似

200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

BCP55,115和BAT54SW,115的区别