BUK7610-100B,118
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK7610-100B,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 6773pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 36 ns
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK7610-100B,118引脚图与封装图
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在线购买BUK7610-100B,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK7610-100B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 100V 110A | 搜索库存 |
替代型号BUK7610-100B,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK7610-100B,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 N-CH 100V 110A | 当前型号 | D2PAK N-CH 100V 110A | 当前型号 |
| 型号： BUK7610-100B 品牌： 恩智浦 封装： D2PAK N-CH 100V 110A | 类似代替 | N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET | BUK7610-100B,118和BUK7610-100B的区别 |
| 型号： STB80NF10T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V | BUK7610-100B,118和STB80NF10T4的区别 |