FDS9933BZ、SI4966DY-T1-E3、FDS6890A对比区别

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型号 FDS9933BZ SI4966DY-T1-E3 FDS6890A

描述 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFETMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.019Ω; ID +/-7.1A; SO-8; PD 2W; VGS +/-1FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6890A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

极性 P-CH - N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.6 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4.9A - 7.50 A

上升时间 9.3 ns - 26 ns

输入电容(Ciss) 985pF @10V(Vds) - 2130pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W 900 mW

下降时间 9.3 ns - 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 900 mW - 2000 mW

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 7.50 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.019 Ω 0.013 Ω

阈值电压 - - 800 mV

输入电容 - - 2.13 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

漏源击穿电压 - 20 V 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Last Time Buy Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99