FDS6890A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6890A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 7.50 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 800 mV
输入电容 2.13 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 2130pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6890A引脚图与封装图
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在线购买FDS6890A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6890A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6890A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV | 搜索库存 |
替代型号FDS6890A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6890A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 7.5A 13mohms 2.13nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6890A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV | 当前型号 |
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| 型号： IRF8915PBF 品牌： 国际整流器 封装： SOIC Dual N-Channel 20V 8.9A | 功能相似 | 2个N沟道 20V 8.9A | FDS6890A和IRF8915PBF的区别 |