AOI2N60、AOU2N60、STD2HNK60Z对比区别

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型号 AOI2N60 AOU2N60 STD2HNK60Z

描述 600V,2A,N沟道MOSFETTO-251A N-CH 600V 2AN沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 56.8W (Tc) 56.8W (Tc) 45000 mW

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 - - 30 ns

输入电容(Ciss) 325pF @25V(Vds) 325pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 56.8 W 56.8 W 45 W

下降时间 - - 50 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 56.8W (Tc) 56.8W (Tc) 45W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 2A 2A -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99