AOU2N60
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOU2N60中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 56.8W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2A
输入电容Ciss 325pF @25VVds
额定功率Max 56.8 W
耗散功率Max 56.8W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOU2N60引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOU2N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOU2N60 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-251 N-CH 600V 2A | 当前型号 | TO-251A N-CH 600V 2A | 当前型号 |
| 型号： AOI2N60 品牌： 万代半导体 封装： TO N-CH 600V 2A | 完全替代 | 600V,2A,N沟道MOSFET | AOU2N60和AOI2N60的区别 |
| 型号： 2N60L-TM3-T 品牌： 友顺 封装： | 功能相似 | MOS场效应管/2N60L-TM3-T 管装 | AOU2N60和2N60L-TM3-T的区别 |
| 型号： 2N65L-TM3-T 品牌： 友顺 封装： | 功能相似 | 2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | AOU2N60和2N65L-TM3-T的区别 |