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BD245C-S、KSD363R、MJF32CG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD245C-S KSD363R MJF32CG

描述 SOT-93 NPN 100V 10AB / W电视水平偏转输出 B/W TV Horizontal Deflection OutputPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-218-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz - 3 MHz

额定电压(DC) - 120 V -100 V

额定电流 - 6.00 A 3.00 A

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN PNP

耗散功率 80 W 40 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 120 V 100 V

集电极最大允许电流 10A 6A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 4 @10A, 4V 40 @1A, 5V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 3 W 40 W 2 W

直流电流增益(hFE) - - 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW - 2000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 240 -

额定功率 80 W - -

长度 15.2 mm 10.1 mm 10.63 mm

宽度 4.9 mm 4.7 mm 4.9 mm

高度 12.2 mm 9.4 mm 16.12 mm

封装 TO-218-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99